2024中国国际半导体新材料发展(太原)大会
China International Forum on Semiconductor Novel Materials 2024 (Taiyuan)
探索新材料 共享新机遇
科技是国家强盛之基，创新是民族进步之魂。新一轮科技革命的纵深发展、创新超越，新一轮产业变革的持续发展、转型升级，新一轮军事力量的强劲发展、更新换代，都需要或依赖半导体新材料提供新基础、新技术，不断催生新动能、新业态。当前，半导体新材料已成全球高技术竞争和大国博弈的焦点之一。其中，以碳化硅、氮化镓材料为代表的宽禁带半导体材料，已在光伏、新能源汽车、储能及数据中心等重点领域批量应用；而以氧化镓、氮化铝、金刚石等为代表的超宽禁带半导体材料正凭借着其更优异的特性，引起了学术界、产业界及金融界的广泛关注，并已开始进行小批量的研发生产及应用。为扩大、增强半导体新材料的交流合作、产业协同发展，推进创新链产业链的有效融合，共同应对当前时代的挑战，中国电子材料行业协会半导体材料分会将充分发挥协会引领作用，与山西省政府联手，共同举办“2024中国国际半导体新材料发展（太原）大会”，为政产学研用各类创新主体提供协同发展的交流平台，通过开展半导体新材料的国内外交流与合作，支撑半导体材料基础产业的技术进步，加快高水平科技自立自强步伐。
本次大会以“探索新材料，共享新机遇”为主题，将邀请国家科技部、工信部、商务部及山西省等有关领导，邀请半导体新材料及相关产业链的国内外著名专家、业界精英代表，围绕碳化硅、氮化镓、氧化镓、氮化铝、金刚石等半导体新材料的研制与器件应用，就行业热点问题开展积极广泛地交流与研讨，助力我国半导体新材料技术与产业快速发展。
01
会议组织单位、时间和地点
主办单位
中国电子材料行业协会半导体材料分会
山西省工业和信息化厅
山西省商务厅
山西转型综合改革示范区
承办单位
山西烁科晶体有限公司
中电科新型半导体晶体材料技术重点实验室
协办单位
日中半导体协会
浙江晶盛机电股份有限公司
山西中电科新能源技术有限公司
安徽微芯长江半导体材料有限公司
中国平煤神马控股集团有限公司
支持单位
赛迈科先进材料股份有限公司
丹东新东方晶体仪器有限公司
北京特思迪半导体设备有限公司
杭州光研科技有限公司
吉永商事株式会社
湖南东映碳材料科技股份有限公司
安徽祥泰芯材料科技有限公司
北京三禾泰达技术有限公司
浙江可瑞斯环保科技有限公司
杭州幄肯新材料科技有限公司
声达半导体设备(江苏)有限公司
浙江森永光电设备有限公司
北京汇德信科技有限公司
福禄克测试仪器（上海）有限公司
苏州辰轩光电科技有限公司
苏州博宏源机械制造有限公司
江苏晶工半导体设备有限公司
苏州赫瑞特电子专用设备科技有限公司
山东海金石墨科技有限公司
沈阳中科汉达科技有限公司
北京华林嘉业科技有限公司
鸿阳科技有限公司
无锡连强智能装备有限公司
常州市乐萌压力容器有限公司
丹东辽东射线仪器有限公司
浙江思纬新材料科技有限公司
江苏东方四通科技股份有限公司
宁津县晶晶电子科技有限公司
山东力冠微电子装备有限公司
西安贝诺茵电子科技有限公司
浙江博来纳润电子材料有限公司
河南联合精密材料股份有限公司
张家港安储科技有限公司
宁波弘信新材料科技有限公司
苏州施密科微电子设备有限公司
久智光电子材料科技有限公司
四川福碳新材料科技有限公司
扬帆半导体（江苏）有限公司
湖南皓志科技股份有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
因达孚先进材料（苏州）股份有限公司
苏州赛尔科技有限公司
河南中宜创芯发展有限公司
其他信息
会议时间：2024年5月22日-25日，22日报到，25日疏散
会议地点：山西潇河国际会议会展中心
住宿酒店：山西潇河新城温德姆至尊酒店
会议地址：山西太原市小店区潇河产业园区潇河大街89号
02
会议拟邀请领导、嘉宾
1. 国家科技部领导
2. 国家工信部领导
3. 国家商务部领导
4. 中国电科集团领导
5. 祝世宁：中国科学院院士、南京大学教授
6. 郝跃：中国科学院院士、西安电子科技大学教授
7. 杨德仁：中国科学院院士、浙江大学教授
8. 潘林：中国电子材料行业协会理事长
9. 鲁瑾：中国电子材料行业协会常务副秘书长
10. 关白玉：中国半导体照明/LED产业与应用联盟秘书长
11. 贺东江：半导体设备和材料标委会材料分技术委员会主任
12. 李素青：半导体设备和材料标委会材料分技术委员会秘书长
13. 冯莉：SEMI China 国家半导体产业协会高级总监
14. 舒丽辉：功率半导体行业联盟秘书长
15. 刘祎晨：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟秘书长
16. 郑红军：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟副秘书长
17. 彭珍珍：人工晶体学报主编
18. 杨家茂：中国电子材料行业协会石英材料分会秘书长
19. 张明：中国电子材料行业协会磁性材料分会秘书长
20. 王东红：中国电子材料行业协会电磁屏蔽材料分会秘书长
21. 郭宇锋：南京邮电大学党委书记
22. 胡文平：天津大学副校长
23. 刘俊：中北大学副校长
24. 周建伟：河北工业大学电子信息工程学院教授
25. 陈贵锋：河北工业大学材料科学与工程学院教授
26. 刘彩池：河北工业大学材料科学与工程学院教授
27. 牛新环：河北工业大学电子信息工程学院教授
28. 陈洪建：河北工业大学继续教育学院教授、同光保定三代半产业技术研究院高级顾问
29. 徐军：同济大学教授
30. 牛萍娟：天津工业大学电气与电子工程学院院长
31. 张楷亮：天津理工大学科技处处长
32. 徐永宽：天津理工大学功能晶体研究院副院长
33. 郝玉英：太原理工大学教授
34. 张峰：厦门大学教授
35. 张玉明：西安电子科技大学教授
36. 刘立军：西安交通大学教授
37. 牛刚：西安交通大学教授
38. 钮应喜：中国科学院半导体研究所教授级高级工程师
39. 张宝顺：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员
40. 李哲洋：怀柔实验室研究员
41. 铁斌：中电科半导体材料有限公司董事长
42. 孙鉴英：中电科半导体材料有限公司总经理
43. 曹建伟：浙江晶盛机电股份有限公司董事长
44. 孙毅：河南中宜创芯发展有限公司董事长
45. 冯文彪：山西中电科新能源技术有限公司副总经理
46. 陈海龙：杭州光研科技有限公司总经理
47. 张果虎：有研半导体材料有限公司总经理
48. 闫志瑞：有研半导体硅材料股份公司技术总监
49. 张雪囡：TCL中环新能源科技股份有限公司副总工程师
50. 邹丽华：FerroTec（中国）集团高级顾问
51. 费易军：FerroTec（中国）集团副总经理
52. 李显元：上海超硅半导体股份有限公司副总经理
53. 余才志：十一设计院科技工程公司高级副院长
54. 王小红：十一设计研究院科技工程天津分公司常务副院长
55. 张菊军：清电能源集团有限公司董事长
56. 黄存新：北京中材人工晶体研究院有限公司副总经理
57. 潘尧波：中电化合物半导体有限公司董事长
58. 陈东坡：三安集团北京分公司副总经理
59. 王春玲：久智光电子材料科技有限公司总经理
60. 张锦：久智光电子材料科技有限公司首席专家
61. 王慧：中国建材院石英新材料研究所所长
62. 王巍：河北同光半导体股份有限公司副总经理
63. 赵然：国宏中宇科技发展有限公司董事、总经理
64. 黄学琪：海外华人科技组织联合会常务副会长
65. 赖占平：中国电科46所首席科学家
66. 王志越：中国电科装备子集团首席科学家
67. 王英民：中国电科46所首席科学家、新材料研发中心主任
68. 李忠辉：中国电科55所首席专家
69. 房玉龙：中国电科产业基础研究院基础产业部主任
70. 程红娟：中国电科46所新材料研发中心副主任
71. 马春喜：徐州经济技术开发区管理委员会副主任
72. 莫迎华：徐州经开区党工委委员、管委会副主任
73. 郑毅：宜兴经开区开发区招商局副局长
74. 王目亭：宜兴经开区开发区招商局副局长
……
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03
会议报告专家
祝世宁
中国科学院院士/南京大学教授
开幕式致辞
郝跃
中国科学院院士/西安电子科技大学教授
报告主题：宽禁带半导体材料
杨德仁
中国科学院院士/浙江大学教授
报告题目：铸造法氧化镓单晶材料
李斌
山西烁科晶体有限公司总经理
报告题目：大尺寸碳化硅单晶衬底发展思考
梁剑波
大阪公立大学教授
报告题目：大面积GaN 3C-SiC金刚石结构的高热稳定性和低热阻：实用器件工艺中的应用
陈小龙
中国科学院物理研究所研究员、北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家
报告题目：碳化硅晶体生长和外延研究及产业化进展
孔令沂
杭州海乾半导体有限公司总经理
报告题目：大尺寸SiC外延材料的国产化进展
王蓉
浙江大学科创中心研究员
报告题目：半导体碳化硅缺陷物理研究进展
刘国友
株洲中车时代电气股份有限公司副总工程师
报告主题：碳化硅材料与器件
徐科
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员
报告题目：氮化镓单晶的生长与应用进展
森永介
大阪大学教授
报告题目：Recent progress of GaN crystal growth by Na flux method（钠通量法生长GaN晶体的最新进展）
Thomas Schroeder
德国柏林晶体生长研究所所长
报告题目：:Gallium Oxide: An Ultra-Wide Band Gap Material for Power Electronics
(氧化镓:一种用于电力电子的超宽带半导体材料)
郝建民
中国电子科技集团公司第四十六研究所副总工程师
报告题目：氧化镓高压电子学及材料进展
方志来
厦门大学教授
报告题目：P型氧化镓材料与器件研究进展
周弘
西安电子科技大学教授
报告题目：超宽禁带半导体氧化镓功率和射频器件研究进展及挑战
陈子强
香港科技大学教授
报告题目：宽与超宽禁带氮化及氧化物半导体材料
Thomas Schroeder
德国柏林晶体生长研究所所长
报告题目：Crystal Growth of AlN for Power & UV Technologies
（用于电源和UV技术的AlN晶体生长）
冯哲川
国立台湾大学教授
报告题目：超宽禁带半导体氮化铝(AlN)晶体与外延薄膜材料的多重学科研究
吴亮
奥趋光电技术(杭州)有限公司总经理
报告题目：超宽禁带半导体AlN单晶生长及其器件最新进展
王宏兴
西安交通大学教授
报告题目：金刚石材材料研究进展
解永强
山西中电科新能源技术有限公司总经理
报告主题：碳基材料纯化技术与装备
盛永江
浙江晶瑞电子材料有限公司 总经理
报告题目：晶盛机电6/8寸碳化硅衬底的技术和产业化进展
孔海宽
安徽微芯长江半导体材料有限公司技术部长、中国科学院上海硅酸盐研究所副研究员
报告题目：碳化硅衬底材料产业化进展及前景浅谈
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04
论坛主要议程
05
参会须知
1、会议报名及缴费：参会报名需缴纳会务费。会务费包括：会务、资料、餐费（不含住宿费）等。请点击报名链接“2024中国国际半导体新材料发展（太原）进行报名。
2、会议住宿：
会务费不含住宿费用，参会代表可按以下联系方式联系会议协议酒店，报会议名字预定房间。